型号 | IPB100N06S3L-03 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 |
IPB100N06S3L-03 PDF | ![]() |
代理商 | IPB100N06S3L-03 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Jul/2010 |
产品目录绘图 | Mosfets TO-263 |
标准包装 | 1 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.7毫欧 @ 80A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 230µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 550nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 26240pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1618 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IPB100N06S3L-03INCT IPB100N06S3L-03XTINCT IPB100N06S3L-03XTINCT-ND |